H
hkBattousai
Guest
A
alexan_e
Guest
Crec que pot funcionar, però només si es connecta el condensador de filtre de sortida del pont a la TV d'entrada perquè és necessari tenir un voltatge a l'entrada que manté un nivell mínim perquè el MOSFET es queda a (com> 5v). també cal afegir un díode a la sortida (fugida) de IRF9530 perquè si no m'equivoco tots els drenatges seran units de manera que quan un MOSFET connectat a un voltatge més alt en la gira que proporcionarà als desguassos dels MOSFETs altres una major tensió en comparació amb la font i el díode MOSFET portarà a terme (fugida de voltatge> font). Vostè necessita els díodes amb el càtode al costat de la càrrega i els ànodes connectats als desguassos i després connectar els càtodes junts com a sortida. Alex
M
mister_rf
Guest
No, aquest esquema no funciona. El que vull fer és emular un commutador analògic, que és un parell de MOSFETs en paral · lel, una N-un altre canal P-canal, el que permet que el corrent flueixi de manera bidireccional. Vegi aquí alguns detalls: http://www.vishay.com/docs/81225/ssrvo126.pdf
M
mister_rf
Guest
No, aquest esquema no funcionen en les línies de corrent altern. El que vull fer és emular un commutador analògic, que és un parell de MOSFETs en paral · lel, una N-un altre canal P-canal, el que permet que el corrent flueixi de manera bidireccional. Vegi aquí alguns detalls: http://www.vishay.com/docs/81225/ssrvo126.pdf
A
alexan_e
Guest
Ell no s'està connectant la presa del transformador directament, va dir
el que l'entrada a la font mosfet ja està d'ona completa DC pel que si s'afegeix un condensador de pont, que hauria de funcionar Alex
H
hkBattousai
Guest
Sí, és molt bona idea. El causen cap problema com el excés o els punts mentre que el canvi entre les preses del transformador?
M
mister_rf
Guest
Un enfocament més pràctic per a aquesta aplicació mitjançant relés estàndard, el punt de derivació = pont rectificador d'entrada per ser desconnectada per relés i connectat a la nova terminal.
H
hkBattousai
Guest
F
FvM
Guest
Sí, la informació també es mostra en el primer lloc per escrit abs (sense ()), que ha estat pel que sembla passa per alt.
Un condensador de filtre abans que l'interruptor de MOSFET (és) seria carregar els condensadors dels canals inactius el díode invers MOSFET. El circuit original té però una debilitat per la sèrie 20 V díode Z, perquè el canvi només es durà a terme en els voltatges d'entrada més alt. Un voltatge de la porta de l'encara superior a la màxima qualificació amb entrada de 50 Vpico. Que el millor serà utilitzar un díode de limitació de tensió a través de la porta i, preferiblement, una etapa de constant del controlador actual. Estic d'acord però amb mister_rf, que els relés mecànics són probablement l'opció més raonable.
M
mister_rf
Guest
Un dispositiu d'estat sòlid en la línia DC necessitat de controlar dues línies simultànies de dos en dos, d'aquesta manera:
F
FvM
Guest
sembla ser un enfocament prometedor, utilitzant per NMOS i PMOS + per -. Branques, necessitant només dos aïllats de canals múltiples circuits de control de porta .
A
alexan_e
Guest
El que vostè descriu només pot passar si un mosfet connectat a un voltatge més alt es converteix en però ja he esmentat en la meva primera resposta (# 2) que també han d'usar díodes connectats als desguassos de la inversió de polaritat dels díodes per evitar que el substrat. Alex
H
hkBattousai
Guest
De fet, hi ha díodes en el disseny original, però he simplificat el circuit mentre dibuixa aquesta imatge.
M
mister_rf
Guest
Vostè pot trobar alguns RSS, Tipus: Fotografia MOSFET, per ser utilitzats en aquesta aplicació, però cal saber més sobre corrent màxima de la font d'alimentació. Vegi alguns exemples: http://pewa.panasonic.com/assets/pcsd/catalog/aqz-sil-high-capacity-catalog.pdf http://pewa.panasonic.com / assets / PCSD / catalog / AQZ-silvestres-forma-a-catalog.pdf http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/pvg612a.pdf
J
jpanhalt
Guest
Perdó per arribar tard a aquesta discussió. He provat el circuit en el post # 1 fa uns anys. De fet, hi ha moltes variants que es poden concebre. Una persona savi va preguntar, què passa si el Zener no curtcircuit? He revisat el circuit al qual es mostra aquí per evitar la destrucció de la porta del MOSFET d'aquesta condició:
Una altra persona va suggerir que s'afegís R1/C1 com una velocitat "cap amunt ". Jo valors de 150Ω i 470 pF i té al seu torn molt més ràpid, però aquesta part és opcional. Joan
F
FvM
Guest
1. Per què? 2. Cap problema.
Pel que jo entenc, el canvi de voltatge de corrent altern de 50 Hz no serà necessari accelerar. Com possible problema, també pel que fa a velocitat, és el dimensionament de R2 i R3. Bàsicament, la tensió de llindar MOSFET consisteix en un voltatge d'entrada mínim per activar l'interruptor. R2 i R formen un divisor, que augmenta encara més aquest llindar si no R2
J
jpanhalt
Guest
A falta d'un curtcircuit és una forma comuna de díodes Zener no ([url = http://www.vias.org/feee/diode_10.html] FEEE - Fonaments d'Enginyeria Elèctrica i Electrònica: díodes Zener [/url]). El vgs per a una IRF9530 es limita a ± 20V. Amb una font de 36V i interruptor MOSFET, que la qualificació podria ser superat, si el Zener en l'esquema primer (post # 1) en curtcircuit. Com vaig dir en el meu post, accelerar era opcional. M'alegro que s'està d'acord pot no es necessita en aquest cas. Joan
F
FvM
Guest
En primer lloc, hi ha hagut un malentès. Vaig entendre el comentari sobre z-díode fracàs en relació amb el segon circuit. Per al primer circuit, per sota de la Z-díode seria en realitat dolenta, sinó que també pot danyar el MOSFET amb el z-díode segueix intacta. En general, els díodes Z no fallen accidentalment, no per sobrecàrrega. Fins i tot en el primer circuit, no hi ha cap risc particular de sobrecàrrega z-díode.