Z
zzj
Guest
Vull cercar en el transistor de potència de RF (P_1dB> 45W, Vdd = 24V, F (1GHz A 2GHz)).És difícil trobar el transistor per a mi, podria dir el transistor? Gràcies!
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
N
nandopg
Guest
Benvolgut amic,
Sembla que, a causa de l'alta Vcc que necessita, que la millor opció és utilitzar un LDMOS en la seva aplicació.
Si ho desitja, pot fer un cop d'ull sobre http://www.cree.com/Products/rf_selectorguide.asp on trobarà gran quantitat de dispositius de la gamma de freqüències i el poder que vostè està veient cap endavant.
NandoPG
Sembla que, a causa de l'alta Vcc que necessita, que la millor opció és utilitzar un LDMOS en la seva aplicació.
Si ho desitja, pot fer un cop d'ull sobre http://www.cree.com/Products/rf_selectorguide.asp on trobarà gran quantitat de dispositius de la gamma de freqüències i el poder que vostè està veient cap endavant.
NandoPG
Z
zzj
Guest
Gràcies!
Vull aprofitar la banda ampla de RF trnsistor (com mrf284). No sé la LDMOS (UGF18060) que pot utilitzar a partir d'1 GHz a 2GHz.THE UGF18060 internament combinat de 1.8GHz a 1.85GHz.
nandopg va escriure:
Benvolgut amic,Sembla que, a causa de l'alta Vcc que necessita, que la millor opció és utilitzar un LDMOS en la seva aplicació.Si ho desitja, pot fer una ullada a h ** p: / / www.cree.com / Productes / rf_selectorguide.asp on trobarà gran quantitat de dispositius de la gamma de freqüències i el poder que vostè està veient cap endavant.NandoPG
Vull aprofitar la banda ampla de RF trnsistor (com mrf284). No sé la LDMOS (UGF18060) que pot utilitzar a partir d'1 GHz a 2GHz.THE UGF18060 internament combinat de 1.8GHz a 1.85GHz.
nandopg va escriure:
Benvolgut amic,Sembla que, a causa de l'alta Vcc que necessita, que la millor opció és utilitzar un LDMOS en la seva aplicació.Si ho desitja, pot fer una ullada a h ** p: / / www.cree.com / Productes / rf_selectorguide.asp on trobarà gran quantitat de dispositius de la gamma de freqüències i el poder que vostè està veient cap endavant.NandoPG
M
Molloy
Guest
Al lloc de Motorola o de Philips es pot trobar LDMOS per a la radiodifusió i l'estació base.Alguns d'ells no són prematched que es poden utilitzar.Que funciona molt bé i mai fallen
records
ste
records
ste
N
nandopg
Guest
Benvolgut amic,
Ho sento, jo no havia undertood que vol dissenyar un amplificador amb una vuitena bandwidht.Sent així, no crec que va a tenir èxit en un amplificador de 1 vuitena disseny inigualable d'alta potència amb LDMOS.
Aquesta és la raó per la Q de la impedància d'entrada i sortida per a dispositius d'alta potència per si mateixa és de voltant de 4 a 5 el disseny el que fa molt difícil de ser aplicat i que és també la raó per alguns fabricants prematch seus LDMS, el pagament d'un ample de banda limitat.
Ho sento per la meva equivocació,
NandoPG
Ho sento, jo no havia undertood que vol dissenyar un amplificador amb una vuitena bandwidht.Sent així, no crec que va a tenir èxit en un amplificador de 1 vuitena disseny inigualable d'alta potència amb LDMOS.
Aquesta és la raó per la Q de la impedància d'entrada i sortida per a dispositius d'alta potència per si mateixa és de voltant de 4 a 5 el disseny el que fa molt difícil de ser aplicat i que és també la raó per alguns fabricants prematch seus LDMS, el pagament d'un ample de banda limitat.
Ho sento per la meva equivocació,
NandoPG
V
vfone
Guest
Que dir sobre un transistor de potència de RF que mai no
s'ha de tenir molt de coratge
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Somriure" border="0" />Molloy va escriure:
Al lloc de Motorola o de Philips es pot trobar LDMOS per a la radiodifusió i l'estació base.
Alguns d'ells no són prematched que es poden utilitzar.
Que funciona molt bé i mai fallen
records
ste
s'ha de tenir molt de coratge
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Somriure" border="0" />Molloy va escriure:
Al lloc de Motorola o de Philips es pot trobar LDMOS per a la radiodifusió i l'estació base.
Alguns d'ells no són prematched que es poden utilitzar.
Que funciona molt bé i mai fallen
records
ste
E
Element_115
Guest
Vostè també pot veure Creu Semicondutor.
La seva LDMOS FET són una mica millor que
la Motrola.
Por lo menos la dècada dels 90
i 30 Watt'ers.
\ / \ / Ww.cree.co / \ / \
Salut!
La seva LDMOS FET són una mica millor que
la Motrola.
Por lo menos la dècada dels 90
i 30 Watt'ers.
\ / \ / Ww.cree.co / \ / \
Salut!
A
Andrew77
Guest
Hola,
Estic dissenyant un AP d'1 a 2 GHz amb un parell de MRF284 en configuració equilibrada.Això prové d'un antic disseny que no deliver fort poder.Tinc una mitjana de 4,5 W de potència d'entrada i,
en l'actualitat, la potència subministrada a la sortida
és d'aproximadament 27 W mitjana.La petita senyal 8.5 dB de guany si ( / - 1,5 dB) i Aachen transistor està esbiaixada per a la classe un mode de funcionament (1 A idq).
En l'arxiu adjunt es mostra una sola secció de l'Autoritat Palestina.
Em pregunto si és possible aconseguir un millor rendiment d'aquest PA;
Tinc ADS com a dissenyador i Ansoft simulador.
Gràcies
Andrea
Ho sentim, però necessita accés per veure aquest arxiu adjunt
Estic dissenyant un AP d'1 a 2 GHz amb un parell de MRF284 en configuració equilibrada.Això prové d'un antic disseny que no deliver fort poder.Tinc una mitjana de 4,5 W de potència d'entrada i,
en l'actualitat, la potència subministrada a la sortida
és d'aproximadament 27 W mitjana.La petita senyal 8.5 dB de guany si ( / - 1,5 dB) i Aachen transistor està esbiaixada per a la classe un mode de funcionament (1 A idq).
En l'arxiu adjunt es mostra una sola secció de l'Autoritat Palestina.
Em pregunto si és possible aconseguir un millor rendiment d'aquest PA;
Tinc ADS com a dissenyador i Ansoft simulador.
Gràcies
Andrea
Ho sentim, però necessita accés per veure aquest arxiu adjunt
K
kishore2k4
Guest
nandopg va escriure:
Benvolgut amic,
Ho sento, jo no havia undertood que vol dissenyar un amplificador amb una vuitena bandwidht.
Sent així, no crec que va a tenir èxit en un amplificador de 1 vuitena disseny inigualable d'alta potència amb LDMOS.
Aquesta és la raó per la Q de la impedància d'entrada i sortida per a dispositius d'alta potència per si mateixa és de voltant de 4 a 5 el disseny el que fa molt difícil de ser aplicat i que és també la raó per alguns fabricants prematch seus LDMS, el pagament d'un ample de banda limitat.Ho sento per la meva equivocació,NandoPG
Benvolgut amic,
Ho sento, jo no havia undertood que vol dissenyar un amplificador amb una vuitena bandwidht.
Sent així, no crec que va a tenir èxit en un amplificador de 1 vuitena disseny inigualable d'alta potència amb LDMOS.
Aquesta és la raó per la Q de la impedància d'entrada i sortida per a dispositius d'alta potència per si mateixa és de voltant de 4 a 5 el disseny el que fa molt difícil de ser aplicat i que és també la raó per alguns fabricants prematch seus LDMS, el pagament d'un ample de banda limitat.Ho sento per la meva equivocació,NandoPG