pregunta el transistor nativa

M

mohdfaaf

Guest
He llegit en una de les companyies de processament d'IC ​​(1) lloc web oficial sobre les seves característiques de transistors CMOS. Un dels dispositius que tenen és nativa de transistors, a més de NMOS i PMOS. La meva pregunta és quin és el transistor d'origen? Un article en el lloc de (2) descriu transistor nadiu és el transistor que es troba directament en el substrat. Però no té sentit ja que si el transistor està construïda en p sub (que gairebé tota la CMOS és construir), pel que serà NMOS. Crec que la descripció que figura a la pàgina web (1) es refereix a un transistor de tipus diferent que no sigui NMOS i PMOS. Si us plau avisi.
 
MOS nadius si es forma directament en el substrat. Encara que pot ser NMOS, però té característiques diferents amb NMOS normals. La tensió de llindar és molt baix, i, de vegades serà negativa. La manca de canals de dopatge fa mesos els nadius tenen un millor characterisic soroll que les normals NMOS i PMOS.
 
És la característica diferent que vostè ha esmentat el transistor nativa a causa de la diferent disseny / disseny o és només pura causa de la diferència en la concentració de canals o S ​​/ D dopant? Si el Vt és massa baix o negatiu per al transistor NMOS nadius Com seria NMOS tipus d'esgotament? no millora? Seria de gran ajuda si algú em pot donar una url / arxius que tenen els detalls sobre això. Gràcies.
 
mohdfaaf és la combinació d'ambdós: la diferència en el canal i dopining.
 
qualsevol material o de disseny per mostrar com aquest transistor nativa sembla>? Vaig tractar de buscar en llocs web, però no va aconseguir trobar cap.
 
a tots. Finalment trobem la definició del transistor natiu. "Un transistor que no ha patit el procés de dopatge canal que s'anomena un" transistor natiu "i té una tensió de llindar més baix, ja que ha de confiar en el fons intrínseca o cos del transistor per ajustar el voltatge de llindar. La típica tensió llindar del transistor natiu pot van des de 0,1 V a 0,3 V "cita de descripció de la patent de la bomba de càrrega
 
Hola, he vingut aquí per buscar "mos natiu" i vaig trobar aquest fil. Foneries de proporcionar els dispositius de baix llindar, però em pregunto què es pot fer (millor que NMOS i dispositius convencionals PMOS.) És de baix voltatge d'operació? Una de les aplicacions poosible penso en els està fent servir com a condensadors ja que els convencionals han de ser polaritzat a la regió d'inversió fort o la regió, però l'acumulació dels transistors natives no ho fan.
 
TRANSISTOR NADIU és un transistor format en una regió de semiconductors dopats, el canal de la qual no ha sofert cap disminució de la superfície (tipus P dopatge d'un transistor PMOS) o la millora de la superfície (dopat de tipus N per un transistor PMOS). El canal està format per tant, directament sobre la superfície de la regió dopada sense el rendiment d'una implantació d'ions o difusió després de la formació del pou. En el present cas, el transistor natiu és un transistor de tipus P i que es forma generalment en un tipus pou N difós en un substrat de tipus p. L'ús d'aquests un transistor natiu al braç que defineix el Vref2 tensió, en combinació amb l'ús d'un pont divisor resistiu al braç que defineix Vref1, condueix a l'alta estabilitat del valor de llindar Vs de subministrament Vcc de tensió que ha de ser detectat. Una de les raons d'aquesta estabilitat és el fet que l'absència de dopatge del canal elimina un factor de variació de les característiques del mètode de fabricació. A més, l'ús d'un pont divisor resistiu, sol o complementat per un element no lineal, permet el control molt eficient, per una simple elecció dels valors relatius de resistència, de la zona d'intersecció de les corbes de Vref1 i Vref2 com un funció de Vcc.
 
Els NMOS nadius està directament construïda en un lleugerament dopada tipus p substrat, mentre que les normals (NMOS PMOS) està en un fortament dopat p-bé (n-vaset) en un substrat P-doble bé la tecnologia CMOS, com es mostra a la figura. 1. Els NMOS nadius és totalment compatible amb els processos del procés CMOS estàndard sense necessitat d'afegir màscara addicional. La tensió de llindar de NMOS nadius és gairebé zero (-O, LV), però, que de NMOS normals és d'aproximadament 0,34 V en un procés CMOS de 0,13-h. Cito de document relatiu a SCR
 
Hola, jo estava buscant NMOS nadius i jo vam arribar a aquest fil. Pot algú explicar el motiu de la TV baix per als nadius de transistors NMOS? Si un transistor s'està realitzant en el p-i llavors serà tchts NMOS bé amb mi. És la raó per la TV és molt baixa molt lleugerament substrat dopat tipus p?
 
Podria explicar per a mi més sobre els transistors de nadius? M'agradaria saber si puc usar-los en rectificadors amb les aplicacions de RFID en el qual ha de ser díode connectat. No, necessitem els transistors de baixa VTH ja que el rang de tensió d'entrada no és molt i ens ajuda a un biaix dels transistors en lloc de saturació subliminals. Però jo em pregunto quina és la desavantatge de l'ús d'ells? Com serà el comportament del corrent de fuga no? Gràcies per endavant.
 
[Citar = Hughes] MOS nadius si es formen directament en el substrat. Encara que pot ser NMOS, però té característiques diferents amb NMOS normals. La tensió de llindar és molt baix, i, de vegades serà negativa. [Color = xarxa] La manca de canals de dopatge fa mesos els nadius tenen un millor characterisic soroll que les normals NMOS i PMOS [/color]. [/Quote] Algú pot llançar més llum sobre això ...
 
Transistors intrínsecs són més propensos a fuites font-drenatge causa de la menor dopat canal (efecte de canal curt, DIBL). En els sensors d'imatge CMOS, transistors intrínsecs s'utilitzen per a portes de transferència per a transferir foto-generats càrrega des del fotodíode al node sentit (difusió flotant) - que té menor dopatge al canal condueix a la disminució barrera de potencial per a la transferència d'electrons des fotodíode al node sentit, i ajuda a evitar l'efecte de retard (transferència incompleta de càrrega fotogenerat i l'efecte resultant de la memòria).
 
[Quote = sandeep_torgal] [quote =] Hughes mesos els nadius si es formen directament en el substrat. Encara que pot ser NMOS, però té característiques diferents amb NMOS normals. La tensió de llindar és molt baix, i, de vegades serà negativa. [Color = xarxa] La manca de canals de dopatge fa mesos els nadius tenen un millor characterisic soroll que les normals NMOS i PMOS [/color] [/quote] Algú pot llançar més llum sobre això ... [/quote] Una possible explicació:. Des no es dopa, no hi ha trampes de càrrega tants en el substrat. En aquest cas, el problema del parpelleig seria menys, però no ha d'afectar el soroll tèrmic. Però jo no sóc un expert en tecnologia.
 
Em pregunto com un tema és viu tant de temps, ja que genera en 2004.and ara és de 2010:. D
 
Hola a tots, per a un determinat procés, la tensió de llindar s'incrementarà de la següent manera: NMOS nadius, sota Vt NMOS, NMOS NMOS normals i d'alta Vt. És això cert? Algú pot confirmar? Què et sembla el NMOS nadius alternatives? Gràcies, TDF
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top