Pot algú ajudar a com simular ESD

[coolstuff07]

Hola,

Tinc un díode estàndard connectat EDS.Vull saber com simular en espècies / espectre.Si algú m'ajudi com multa BJT parasitàries i tancar de nou les característiques en ell.

Adéu

 

[eda4you]

de simulació d'EDS a l'especialitat espectre és molt difícil perquè s'ha de tenir molt bons models del dispositiu d'EDS, que mai vaig tenir en la meva professió.Tampoc és necessari, ja que un complement complet de tornada destruirà la seva IC.
Aprofundiment de simulació de la EDS es realitzen amb simuladors de dispositius.
Vaig fer la simulació d'una vegada per a una estimació de calor amb un model simple de la fitxa i, de vegades puc utilitzar una font de corrent de modelat de comportament exponencial l'inici del complement enrere, perquè algunes qüestions d'especificacions van ser crítics en termes de seguretat.

Espero que et pugui ajudar.

BR

 

[coolstuff07]

Qualsevol m'ajuda més

 

[andyjackcao]

Hola, en algun llibre que em va dir que si el dispositiu de la EDS és
treballant en NB_MODEL, llavors es podria simular amb
model simple, si el dispositiu està treballant en la reversió, llavors hem d'afegir les anteres ESD_MODEL;
de moment, hi ha molts programes en matèria d'EDS, pot referir-se a

 

[Fom]

Cita:

hi ha molts programes en matèria d'EDS, pot referir-se a

 

[ESDSolutions]

Hola

Si utilitzeu RC activada (bigFet) MOS dispositius com les cèl.lules d'energia i només díodes en l'OI, aleshores hauria de ser capaç de simular l'EDS amb Spice / Espectre sense l'addició dels models addicionals per a la reversió.La idea d'aquest enfocament és que la MOS bigfet de maniobra és el corrent en la manera de MOS, no reversió.

No obstant això, vostè ha de verificar els nivells de voltatge en els diferents punts en el disseny.Per exemple, el voltatge de la coixinet al OI encara poden assolir nivells d'alta tensió, superior a la tensió d'activació de controladors de sortida a causa de la resistència de la Busline o díodes, per exemple.Aquest "repartiment de la informació" per als nodes sensibles poden ser utilitzats per a optimitzar la col.locació i la mida dels dispositius de la EDS.Pots buscar les publicacions tècniques de Freescale a la EOS / sympoisum ESD (Stockinger, Michael - Miller, James W.).Aquestes publicacions proporcionen les primeres pistes en la simulació d'aquest tipus de concepte de protecció.Tingueu en compte que la majoria de les pinces real ESD són pròpies i patentades i no poden ser copiats per a ús comercial!

Si voleu comptar amb snapback abraçadores basa llavors simulació amb eines basades en l'espècie no és fàcil en absolut.Personalment jo no confiaria en ningú que s'atribueixi la previsibilitat dels resultats d'EDS.La creació d'un model correcte per a la reversió de BJT és un tema de recerca.Si la fosa no pot proporcionar models de llavors el millor enfocament seria confiar en el soci preferit per a la fosa de l'EDS.La persona / empresa que proporcionen les solucions d'EDS per a la seva tecnologia de procés, probablement li pot ajudar amb els models, les normes i la revisió per augmentar la probabilitat d'un pas per primera vegada.

Some ESD providers have simulation tools optimized for foundry nodes. Mai confiïs en un proveïdor d'EDS que pretén arribar a l'especificació de la EDS sense que ells sàpiguen seu circuit / IO!

 

[leehying]

Absolutament bé la resposta!!

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_razz.gif" alt="Razz" border="0" />