polygate contacte per què no podem posar en el centre de polygate

[janial]

Hola nois, En general, posar en contacte porta a la vora de la polygate. Pot algú explicar quina és la raó per la qual no es pot posar en contacte al centre de la poli? gràcies per endavant! - Janial

 

[dick_freebird]

Porta L mínim poli és certament menor que el mínim de (contacte + 2 * se superposen). Així que no és una cosa que és una opció d'alt valor per a la televisió digital. Només seria pràctic per a la matèria a llarg canal analògic. Llavors ve la pregunta del que succeeix a la porta. Efectes de la tensió, VT es desplaça de la introducció d'alguns metalls en contacte en l'elèctrode, la degradació de la fiabilitat, etc Algú hauria de fer un treball per a buscar, quantificar, modelar i pitjor dels casos, l'efecte de fer aquesta cosa anormal. Bàsicament, la fosa no van tenir a bé qualificar el cas especial, pel que ells diuen que no pots fer-ho.

 

[erikl]

Contacte més prima d'òxid és propens a canviar localment la longitud de la porta i per tant les propietats elèctriques de la IC, per tant, generalment no és permès.

 

[dgnani]

Hola nois, En general, posar en contacte porta a la vora de la polygate. Pot algú explicar quina és la raó per la qual no es pot posar en contacte al centre de la poli? gràcies per endavant! - Janial

hi ha processos de RF, on es tolera en contacte a la porta, que té un impacte en el rendiment (com els altres ja s'ha dit) però té els seus avantatges (reducció de la resistència porta d'accés) que conformen els desavantatges

 

[timof]

Molt sovint, poseu-vos en contacte amb la porta més activa està prohibida per les regles de disseny (per les raons esmentades per erikl i dick_freebird). No obstant això, en algunes tecnologies, poseu-vos en contacte amb la porta en actiu se li permet, per raons d'estalvi d'espai, per exemple - en els sensors d'imatge:

 

[janial]

gràcies nois! això m'ajuda molt