Com tenir major efecte en accout?

H

hardings

Guest
Hola,

SPICE en simulació,
la major part efecte és una qüestió que pot fàcilment ser ignorada.
Com que inclouen en la seva simulació?

BR

 
Si la major part d'origen i no estan connectats junts, la major part efecte d'augmentar el llindar de tensió.Aquest efecte
s'ha d'incloure en el model d'espècies.Vostè ha de prestar atenció a revertir el biaix associat a la font de díode i granel.En el procés modern,
en el fons N-així es pot utilitzar per eliminar la major part efecte.

 
Oh, no estic parlant d'això.

En la simulació,
la major part està sempre connectada a un nivell fix (terra per psub), però

exactament la major part és una xarxa distribuïda de resistència, la tensió dels diferents

distància a l'origen serà diferent.

Com es fa el model de resistència d'aquesta xarxa?LPE que pot fer-ho?

o simplement una estimació de la resistència de les diferents cèl lules de connexió?

Gràcies

 
Crec que
s'hauria de considerar amb el corrent en la major part.Si és poc, la resistència podria ser cancel.lada.

 
En la meva humil opinió, no existeix un paràmetre per calcular l'efecte en la major part ID?

 
"Crec que
s'hauria de considerar amb el corrent en la major part. Si és poc, la resistència podria ser cancel lat."
--- Sí, és true.Actually, estic tractant de resoldre aquest problema ara.La comparació no pot funcionar correctament
amb una gran corrent que flueix a través de bulk.But en la simulació, s'està treballant.
Algú té suggeriments sobre això?

 
Crec que vostè està parlant dels problemes d'acoblament del substrat ... és tan ..
hi ha bona eina com substrat Strom i medicaments que
s'utilitzen per a l'extracció del substrat model (tots els que distribueixen la resistència de substrat)
Un cop obtingut el model de substrat llavors una mica de soroll mitjançant la injecció de corrent en certs node es pot calcular l'efecte en el nostre circuit d'acoblament degut a substrate.

Amit

 
Una estimació aproximada de la resistència a la major part no és més que afegir una resistència calculada en base al nombre de places entre el gruix de contacte i la porta del transistor.Després multiplica aquest nombre per la major part de resistivitat, que normalment es dóna en el model de la targeta de transistors.

Crec que això pot resultar inferior al 20%.

 
La meva conjectura és que no
n'hi ha prou amb l'ús de substrat aixetes, i donat que la seva comparació és conduir ràpidament un costat i l'altre cap avall,
s'obté la injecció, de nou biaix, i mal rendiment.Em sorprendria que no funciona en absolut, però
em mal acompliment esperar si el disseny és el problema ..altre problema és la resistència del substrat latchup.com crear tensió en tot el substrat, pot començar a activar els dispositius verticals parasitàries.posar un PNP parasitàries (OGP), prop d'un NPN (NMOs), i obtenir un SCR vertical a palanca i feu clic en els lots de corrent a través del seu bé ..NO FER AIXÒ!

Si vostè és preocupar-se per la quantitat de tensió que està construint en tot el substrat distribuït resistències, crec que ja estan en problemes - el seu disseny les necessitats de les aixetes en substrat 10-30um de qualsevol dispositiu (i així aixetes si està utilitzant una doble i procés).absorbir aquests transportistes en el metall 1 tan aviat com sigui possible, i serà més segur.

FYI - per a l'1 / 2 micrones procés analògic (dos també) que
és més popular que jo treball, els controladors de mida NMOs exposat 30/0.5 SnapBack (també causada per la tensió a través de substrat) a 6V i els tocs amb 20um lluny i així 8V amb aixetes 5um fora.

 
alguns kit de disseny, com ara IBM PDK, ha subministrat un substrat model de relació,
el que equival a una resistència.aleshores la seva major part no està connectat a la terra directament 0.El gruix de tensió variarà en funció de les condicions de funcionament del transistor.Si vostè no té que, en el seu kit de disseny,
potser vostè pot fer un disseny i l'ús extret per executar la simulació.

 
IBSIM3 model no inclouen resistència substrat xarxa.Per tant, ha d'utilitzar les eines LPE per tenir en compte la resistència de la xarxa de substrat

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top