P-Bé CMOS Proceed Paràmetres SPICE

[tarook79]

Hola,
Actualment estic treballant en el disseny d'un circuit que
s'ha d'implantar l'ús de P-Bé CMOS procés.
Algú té els paràmetres SPICE dels transistors d'aquest procés per a la tecnologia de 0,5 micrones o menys?

 

[news]

<img src="http://gallery.dpcdn.pl/imgc/News/58483/g_-_550x412_-_s_58483x20141013231946_0.jpg" alt="image" />Nie da się ukryć, że Nintendo ma problemy, jego konsola ósmej
generacji sprzedaje się znacznie gorzej, niż oczekiwano. Analitycy
zaczynają nawet stawiać pytania o samo przetrwanie japońskiego
producenta, pesymiści uważają nawet, że może on podzielić los
Segi i zostać zmuszonym do porzucenia własnego sprzętu, by skupić
się na tworzeniu gier na platformy konkurencji. Sytuacja wygląda
tym…<img src="http://feeds.feedburner.com/~r/dobreprogramy/Aktualnosci/~4/-SsW5Xe1CH8" height="1" width="1"/>

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[Jake]

aquí està, csmc05
. Model NVP OGP
= 49 nivell
*
* PARÀMETRES GENERALS
*
Lmin = 5.5e-7 lmáx = 2.0E-5 wmin = 6.0e-7 wmax = 2.0E-5
TREF = 27,0
= Versió 3.2
TOX ='1
27 E-08 toxpn '
Toxm = 1.27e-08
XJ = 2.0000000e-07
nch
16 = 3.9211000e
LLN = 0.1718000
LWN = 1.0000000
WLN = 0.9096138
Wwn = 1.9640454
pelussa =- 2.9392644e-10
Ll = 4.8657780e-09
LW = 0.00
LWL = 3.2949680e-16
Wint = 1.5321000e-07
= Wl-3.1177917e-14
= Pes humit-3.5282190e-20
WWL = 0.00
mobmod = 1
Binunit = 2
xl ='0
00 E 00 xlpn '
XW ='0
00 E 00 xwpn '
lmlt = 1
wmlt = 1
Binflag = 0
dwg =- 7.5196240e-09
= DWB-8.8500040e-10
* MODEL DE PARÀMETRES DE SOROLL
Noimod = 2
Noia 8.03959410758594E =
18NoiB = 22750
Noice = 0,00000000000324
Ef = 1,204
Em = 1840676.27288843
* Díode PARÀMETRES
acm = 2
ldif = 0.00
Hdif = 6.00E-07
Rsh = 169
= 0 º

R = 0
RSC = 0
RDC = 0
*
* UMBRAL DE PARÀMETRES DE TENSIÓ
*
vth0 = '-9.73E-01 vthpn'
K1 = 0.4109161
K2 = 1.9222172e-02-lk2 = 3.4000000e-08
K3 = 4.7544390
Dvt0 = 1.9507611
Dvt1 = 0.9552611
Dvt2 = 0.2375000
Dvt0w = 1.5924101
dvt1w
06 = 1.6596450e
Dvt2w = 2.0000000e-02
Nlx = 9.4674930e-09
= W0-4.4366630e-09
K3b = -1,7572563
ngate
30 = 1.0000000e
VfB = -0,1524965
*
* PARÀMETRES DE MOBILITAT
*
VSAT = 1.1421400e
05 pvsat = 2.8353107e-09
Ua = 4.2156900e-09-PUA = 5.7302530e-23
= Ub-6.2567930e-19
uc =- 6.5204860e-11
rdsw
02 = 7.5183910e
Prwb = -0,1286000
Prwg = 1.5611597e-02
WR = 0.9781416
U0 = 2.5887955e-02
A0 = 0.9554556
= Keta-1.3701160e-02
a1 = 0.00
A2 = 0.4000000
AGS = = 0.1720220 retards 2.2507542e-07
B0 = 6.5099060e-07
B1 = 1.4520109e-06
*
* SUBTHRESHOLD paràmetres actuals
*
= VOFF-9.9300000e-02
Nfactor = 0.8502510
Cit = 2.4700000e-09
Cdsc = 9.0727240e-06
= Cdscb-1.5753420e-05
Cdscd = 1.2948903e-03
Eta0 = 0.3668273
etab =- 4.1721060e-03
DSUB = 0.7021100
*
* Ruta PARÀMETRES
*
Pclm = 2.7501225
Pdiblc1 = 1.0000000e-05
Pdiblc2 = 7.5469860e-03
Pdiblcb = -0,1250000
Drout = 3.0000000
pscbe1
08 = 5.0336000e
Pscbe2 = 4.5000000e-07
Pvag = 1.0000000
Delta = 1.0000000e-02
Alpha0 = 0,00
alfa1 = 0.00
Beta0 = 30.0000000
*
* Efectes de la temperatura PARÀMETRES
*
KT1 = -0,5000000
KT2 =- 5.7841390E-02
A = 1.1792727E
02Ute = -1,4499991
UA1 = 2.5594273E-09
UB1 =- 8.0262190E-18
UC1 = 4.5520970E-11
Kt1l = 8.9438480E-09
Prt = 8.2061230E-02
*
* Capacitancia PARÀMETRES
*
CJ
9 = .27 E-04 cjpn '
MJ = 0,3928
Pb = 0,7557
Cjsw ='3
02 E-10 cjswpn '
Mjsw = 0,1841
Php = 0,5105
Cjgate ='5 0.301 e-10 cjgatepn '
TPB = 0.0022064
Tpbsw = 9.7723e-04
Tcj = 7.3374e-04
tcjsw =- 7.2026e-04
JS = 1.00E-04
Jsw = 0,00
N = 1.0
= 3,0 XTI
Cgdo ='3
49 E-10 cgdopn '
Cgso ='3
49 E-10 cgsopn '
Cgbo = 1.0E-13
Capmod = 2
Nqsmod = 0
Elm = 5
Xpart = 0
CGSL =- 2.4300000e-17
= Cgdl-2.4300000e-17
Ckappa = 0.6000000
cf = 0.00
CLC = 5.0000000e-12
Cul = 2.3309000
= DLC-2.43e-17
dwc =- 2.43e-17
Vfbcv = -0,0871
LLC = 0
LWC = 0
WLC = 0
WWC = 0
Lwlc = 0
Wwlc = 0
Moin = 15
noff = 1
Voffcv = 0

 

[tarook79]

Hola,
Els paràmetres que es va enviar per OGP transistor.
Té els paràmetres d'un transistor en NMOs P-Doncs així com el procés?