A
allanvv
Guest
Si jo estic dissenyant un requisit baix (tant en velocitat i precisió) circuit commutat la tapa i el comparador d'una cosa així com 45 nm, he d'utilitzar transistors 1V o els 3,3 V IO éssers? El consum d'energia no és important, però és l'àrea. Si tinc un transistor 5u/0.5u, que tindrà millors característiques? La meva conjectura és que els 3,3 V serà millor per a la gravació analògica, sobretot des de l'altura lliure més gran, però és l'únic inconvenient que és més lent? Edit: He comparat nmos1 gpdk045 i nmos2, que són 1.1V i 1.8V. Sorprenentment, el transistor 1.1V tingut un millor g * ro, però el transistor de 1,8 V tenien el doble de càrrega rodada. Això és amb un VGS = 0,5 V fixos per a tots dos, mentre que vostès es va reduir per a cada un d'ells per 1.1V i 1.8V. W / L = 5u/0.5u. http://i.imgur.com/HCvmR.png ~ ~ V