-> Com puc model d'un fotodíode (ActivePixelSensor) a HSPICE??

C

clsfox

Guest
Hi there!

Sóc un membre nou i em quadra en aquest fòrum molt útil mentre es busca informació sobre el modelat fotodíodes a HSPICE!

Tinc un projecte sobre un sistema analògic al digital Active Pixel Sensor (Fowler et al.) I he pogut utilitzar alguns exemples de sensors actius de píxels i de fotodíodes a HSPICE.

Gràcies!

 
He vist alguns dels meus facultats ús HSPICE en actiu de disseny de píxels del sensor i la simulació, però jo no ho sé i

però es fa servir, i simulació del corrent fosca

Khouly

 
El concepte del projecte és, primer, simular el disseny del subdirector general d'Active Pixel Sensor a HSPICE després fer una màscara per a que l'ús Microwind, l'extracte de la netlist de Microwind i després comparar amb els resultats anteriors de HSPICE.

Si fos per mi, s'utilitzen diferents instruments, però aquest és un projecte obligatori amb un procediment estàndard, així que no tenim cap altra opció que aquesta.

 
Hola, HSPICE és per a la simulació de circuits, no és apte per simular PD en APS.If vostè desitja simular amb HSPICE, pot utilitzar una font de corrent en lloc de l'EP, però no crec que es pot obtenir resultats precisos descriure el procés de phycial en APS, però només aproximats resultat i és realitzat per simulation.Maye a nivell del transistor d'utilitzar TCAD al seu lloc.

Per a mi, també estic fent a la recerca relacionada amb la CEI, pot posar-se en contacte amb mi si vols: leohart2000 (at) gmail.com

 
Gràcies per l'aclariment!

Tot el concepte del projecte és demostrar que podem treballar amb aquestes dues eines per a una simulació aproximada amb HSPICE és el que realment necessito ara.Pot suggerir una font per a un model de fotodíode que puc utilitzar en HSPICE (font de corrent, capacitats, etc)?El fotodíode en el circuit real és un p regió difusa en un nwell.

 
Només ha d'utilitzar una font de corrent continu en paral lel un condensador, per valor de detall d'aquests dos components, es refereixen a alguns documents que, normalment, la foto actual és menys d'un AP i la capacitat és de diverses desenes de F. femto

No estic segur si la simulació utilitzant hpice farà resultat raonable, m'agradaria ajudar amb ella o ur PLS compartir resultat amb mi, si és possiable

Records

 
He trobat un article de TN Swe i KS Yeo amb un model de fotodíode per Spice, però és una mica complicat per el que necessito.

Li vaig preguntar al meu supervisor i està d'acord en que una font de corrent i un condensador serà suficient.

Em posaré en contacte amb vostè quan acabi el circuit!

Gràcies de nou!

 
La nostra empresa va dissenyar molts sensors d'imatge CMOS APS.

Si el fotodíode està fet de, per exemple, n en el substrat o nwell en el substrat, utilitza el model de díode que els subministraments de fosa d'aquesta estructura.Fer que el díode w i L la mida del seu PD.

Utilitzeu una font de corrent per a simular la llum (serà picoamps a nanoamps generalment per als nivells normals de llum).

 
Pots dir-me el que seria normal de mida mitjana d'un p fotodíode en un n-bé?

Estic tractant de crear una màscara a Microwind i els documents que tinc per al meu projecte no inclouen aquesta informació.

Gràcies!

 
Ús de la N-així com fotodíode:
Aquesta disposició generalment utilitza una connexió a la N-així - com una terminal - amb el substrat p a la part inferior i la P difusió a la part superior de la terminal de fotodíode altres (connectats entre si per superposició p sobre la N-bé).D'aquesta manera, hi ha dues creus (i dos díodes en paral.lel).Això té alguns avantatges de la sensibilitat i el corrent fosca, però ja és més gran que no s'utilitza molt en els moderns sensors d'imatge CMOS (des al voltant de 0,5 microns i la tecnologia de 8 micròmetres de mida de píxel).
La mida de la N-així serà determinat per la mida de píxel i les normes de separació per al n-n-bé a bé en la tecnologia que està utilitzant.
Espero que ajudi.

 
El photodide és bàsicament un condensador que se celebrarà càrrec.
Calculeu la capacitat de la unió de la zona de recollida de la llum.El valor de capacitat es dóna en els arxius de model.
Següent, mentre que la simulació de fer el següent
fer Gmín com 1E-18 rat5her que el valor predeterminat que l'ús de simuladors de 1e-12.
Això és per la raó que la capacitat que s'obtindria seria de la gamma farad femto i no m'agradaria que el simulador per obtenir una solució per a la matriu és posar un 1PA font de corrent a terra de la placa cvapacitor.
També espero que tinguin la disposició perquè es faci per obtenir el valor del factor de farciment.

Espero que ajuda

 
hi ambereesh:

1) Què és Gmín i per què hem de reduir a 1E-18?
2) Podria explicar més sobre el tema "No m'agradaria per simulador per obtenir una solució per a la matriu és posar un 1PA font de corrent a terra de la placa cvapacitor".

THX molt

 
simulador de sempre posar en paral.lel 1/Gmin resistència al condensador
ajuda a la convergència.
díode ha invertit petita capacitat, descàrregues de Gmín encara que no s'enfonsen d'actualitat.
menys Gmín menys actual d'error.KCLTEST set = massa en ajuda.

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top