com dibuixar guardring?

[sky&sea]

Hola, fa poc, sóc dibuixar un circuit de baixa potència CMOS actual converyor, per tal d'evitar el tancament en marxa, com puc treure el guardring MOS? he de fer un guardring per a cada transistor MOS o un empat guardring de MOS diversos junts? per exemple: Dibuixa un p + guardring envolten tots els transisitor NMOS. gràcies

 

[leo_o2]

Afegir un N + / NW anell al voltant de P + pickup.

 

[sky&sea]

Què vol dir guardring doble? la meva mitjana és temps he d'afegir guardring per ervery mesos transisitor o tots els transistors MOS junts? gràcies

 

[forkschgrad]

si voleu desar la zona, es combinen en el MOS guardring mateix si tenen la mateixa massa de connexió. també consideren el subtipus.

 

[ajaytronic]

Per a la bona disposició, sempre s'ha de proporcionar doubel guardring als circuits crítics, com a part diferencial, mirall de corrent i tampons (transistor d'alta conducció de corrent). Sempre ofereixen doble guardring b / w analògiques i digitals del circuit. (Per separar circuits analògics i digitals) Descansi tot o un altre transistor pot proporcionar protecció individual (o toc de connexió) si tenen mateix volum.

 

[babbage]

Per a una bona regla de disseny elèctric i de les corresponents latch-up regla ha de ser donat a terme, per descomptat, si o necessitat d'alguna regla relacionada, pls correu electrònic a mi. babbage.song @ gmail.com

 

[layout_designer]

1. Anell de la Guàrdia doble ha de ser elaborat per separat per als circuits crítics (com a parell etc diff). 2. guardring NTAP en nwell connectat a Vdd i PTAP guardring la psubstrate connectat a Vss. 3. l'ample ha de ser el seu anells de protecció es? Alguns foundrys proporcionar informació en els seus documents latchup. 4. alguns dissenyadors creuen en la prestació de guardrings entre cada un dels blocs del mateix circuit i el circuit al voltant de la quadra sencera.

 

[sharath79]

A guaring per a cada transistor no és necessari. Una aixeta NO d'un transistor PMOS i TAP PPLUS per a un transistor NMOS està bé, perquè depèn de howmuch ur diffpair actual és ging a prendre i en segon lloc, com la quantitat de corrent circuit sencer ur és ging a take.If dir DP prendrà dir en el rang de microampers. Gaurdring doble no és en absolut recomanable.

 

[mdcui]

altre punt és que guardring millor estar completament coberta amb contacte i la connexió de metall per proporcionar la millor connexió VCC o VSS, en cas contrari el Resitance difusió pot reduir el blindatge i la capacitat de recollida de transport.

 

[roy_ece]

Per evitar Latchup, que solen tenir directrius º efollowing: nivell de transistor 1.At que generalment proporcionen NTAP Taps és a dir, per PMOS, i connectar-lo a VDD. PTAP per NMOS i connectar-lo a VSS. Les aixetes stripwhich consta dels implants, la difusió, metall, poseu-vos en contacte. Col.locació i espaiament depèn de fosa. 2.Quan la franja corresponent adjuntar transitors crític, es considera un anell de protecció. 3.Depending en els circuits de Dissenyadors requisit fonamental com miralls de corrent, parells diferencials s'inclouen amb anells de protecció. A continuació es presenta la figura de l'inversor tancat amb anells de protecció.

 

[sky&sea]

És molt amable de tots vostès, moltes gràcies!

 

[phongphanp]

Jo havia llegit un llibre que es refereixen a com l'anàlisi de patrons de camp elèctric de manera que el llibre dels envasos seran d'utilitat per al nou dissenyador com vostè, i crec que es pot buscar programari edats que exemple visual per a millor comprensió, Ex la forma de disseny de circuit Dencàs com microprocessadors, etc